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集芯片设计、研发、封装检测和销售為(wèi)一體(tǐ)的中國(guó)功率类半导體(tǐ)分(fēn)立器件及集成電(diàn)路企业
公司取得发明专利证书
近日，公司收到中华人民(mín)共和國(guó)國(guó)家知识产权局颁发的 1 份《发明专利证书》，专利号ZL201010502011.1，专利名称《集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法》，专利申请日期2010年9月24日，期限20年，专利号第1099352号。
集芯片设计、研发、封装检测和销售為(wèi)一體(tǐ)的中國(guó)功率类半导體(tǐ)分(fēn)立器件及集成電(diàn)路企业
近日，公司收到中华人民(mín)共和國(guó)國(guó)家知识产权局颁发的 1 份《发明专利证书》，专利号ZL201010502011.1，专利名称《集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法》，专利申请日期2010年9月24日，期限20年，专利号第1099352号。