东光微電(diàn)子半导體(tǐ)技术获全國(guó)奖

时间:2023.09.16
作者:东晨

“第八届(2013年度)中國(guó)半导體(tǐ)创新(xīn)产品和技术”评选结果正式“出炉”,我司的“1200V逆导型场终止绝缘栅双极晶體(tǐ)管”技术榜上有(yǒu)名。

  2014年1月21日,中國(guó)半导體(tǐ)行业协会、中國(guó)電(diàn)子材料行业协会、中國(guó)電(diàn)子专用(yòng)设备工业协会、中國(guó)電(diàn)子报共同评选出“第八届(2013年度)中國(guó)半导體(tǐ)创新(xīn)产品和技术”42个项目。

参加评选的创新(xīn)产品和技术由会员单位自荐、协会分(fēn)会和地方协会推荐,范围包括集成電(diàn)路产品和技术、半导體(tǐ)器件、集成電(diàn)路制造技术、集成電(diàn)路封装与测试技术、半导體(tǐ)设备和仪器及半导體(tǐ)专用(yòng)材料。

东光微電(diàn)自成立以来,始终致力于各类新(xīn)型功率器件的开发。去年,我司依托进口的制造设备平台,自主成功研制了“1200V逆导型场终止绝缘栅双极晶體(tǐ)管(1200V RC-FSIGBT)”,这项技术為(wèi)國(guó)内首创、國(guó)际领先,与之相应的产品性能(néng)可(kě)达到Infineon、IR等國(guó)际龙头企业同等水平。